Comparaison de la RAM takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Note globale

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

35 50

Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.7 1,457.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

557 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns