RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
50
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3306
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link