Porównanie pamięci RAM takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Wynik ogólny

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

35 50

Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.7 1,457.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

557 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns