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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
1900
Autour de 6.74% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
54
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
45
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
1900
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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