RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
1900
Wokół strony 6.74% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
54
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
1900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2387
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link