Comparaison de la RAM Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 54

Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 9.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 8.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 12800

Autour de 2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2105 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns