RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3649
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link