RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3649
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link