RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
54
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3756
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BC1339.M16F 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link