RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3756
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link