RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3756
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link