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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3124
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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