RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3124
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link