RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
63
Autour de -200% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
21
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
4089
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link