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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
63
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
21
读取速度,GB/s
8.1
20.1
写入速度,GB/s
7.5
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
4089
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1333C9 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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