RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2418
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link