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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.0
13.6
写入速度,GB/s
8.2
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2418
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
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