RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2418
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link