RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3649
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link