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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3649
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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