RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3649
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link