RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3343
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link