RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3343
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link