RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3357
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link