Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.6 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

7.3 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 3357

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

модули RAM