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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.8
16.6
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3357
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU16D3LU1KBG/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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