RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2654
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link