RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2988
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link