RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2988
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link