RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2988
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link