RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link