RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2332
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link