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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
10.6
14.3
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2332
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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