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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
11.8
13.4
写入速度,GB/s
7.3
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1468
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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