RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
42
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3397
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link