RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
42
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3397
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link