RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3660
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link