RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2130
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link