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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3044
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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