RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3465
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Kingston 9905471-073.A00LF 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link