RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
104
Autour de -373% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3117
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link