RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3787
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Lenovo 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link