RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3384
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link