RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
104
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
4217
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link