RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
104
Autour de -447% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3066
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link