RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
104
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2424
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link