RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
104
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2891
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link