RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
104
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3416
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link