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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
104
Autour de -333% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2719
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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