RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2689
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link