RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2196
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link